Novi GaN čip za Ministarstvo rata SAD-a značajno nadmašuje silicijske čipove
Northrop Grumman razvio je u manje od 6 mjeseci GaN čip u svom pogonu u Redondo Beachu, omogućivši ultrabrze i sigurne bežične veze u W-pojasu za vojne radare i sljedeću generaciju 5G/6G povezivosti
Northrop Grumman proizveo je novi čip od galijeva nitrida (GaN) koji postavlja nove standarde performansi za vojnu i komercijalnu primjenu. Čip u potpunosti iskorištava W-pojas radiofrekvencijskog spektra (između približno 75 i 110 gigaherca), područje vrlo visokih frekvencija koje omogućuje slanje i primanje veće količine detaljnih podataka. Razvijen je i spreman za tržište za manje od šest mjeseci.
Ovaj tehnološki iskorak omogućuje vojnim radarskim sustavima brzo i sigurno bežično slanje podataka putem satelita, a istodobno pruža podršku za sljedeću generaciju 5G i 6G komunikacijskih mreža.
W-pojas nudi znatno veću propusnost od bežičnih sustava koji rade na nižim frekvencijama. Dodatni spektar omogućuje brži prijenos podataka, precizniju detekciju i sigurniju komunikaciju.
Tehnologije koje koriste W-pojas privlače sve veći interes jer mogu obrađivati znatno veće količine podataka od mnogih konvencionalnih bežičnih sustava. Te se frekvencije sve više istražuju za primjene poput snimanja visoke rezolucije, naprednih senzorskih sustava, satelitskih komunikacija i budućih mobilnih mreža.

Čip djeluje poput sićušnog, iznimno učinkovitog „mozga” koji pojačava bežične signale, čineći ih jasnijima i bržima. Time vojsci osigurava sigurniju komunikaciju, a komercijalnim uređajima omogućuje brže i pouzdanije veze. Njegov kompaktan i ekonomičan dizajn zamjenjuje glomaznu opremu velike potrošnje energije te pomaže Sjedinjenim Državama da zadrže tehnološku prednost u području bežičnih komunikacija nove generacije.
Međutim, rad na tako visokim frekvencijama zahtijeva specijalizirane poluvodičke materijale i konstrukcijska rješenja koja mogu održati visoke performanse uz učinkovito upravljanje snagom i toplinom. Upravo su to područja u kojima uređaji temeljeni na galijevu nitridu privlače sve veću pozornost.
Northrop Grumman ističe da novi čip u potpunosti iskorištava ovaj dio radiofrekvencijskog spektra kako bi poboljšao performanse signala, uz istodobno smanjenje potrebe za većom i energetski zahtjevnijom opremom.
Galijev nitrid postao je ključan materijal za naprednu radiofrekvencijsku elektroniku jer može raditi pri višim razinama snage i na višim frekvencijama od konvencionalnih silicijskih uređaja. Materijal se već široko primjenjuje u vojnim radarima, sustavima elektroničkog ratovanja i opremi za satelitske komunikacije.
Tvrtka navodi da čip može služiti kao pojačalo signala, omogućujući bežičnim sustavima učinkovitiji prijenos i prijam podataka. U vojnim primjenama to bi moglo unaprijediti sigurnu komunikaciju i razmjenu podataka između različitih platformi i satelita. U komercijalnom sektoru tehnologija bi mogla pridonijeti razvoju budućih bežičnih mreža, kako potražnja za većim brzinama prijenosa podataka nastavlja rasti.

Proizveden u Northrop Grummanovu pogonu za proizvodnju poluvodiča u Kaliforniji, čip je razvijen kroz projekt Microelectronics Commons California DREAMS, u kojem je Northrop Grumman vodeći partner. Program financira Ured podtajnika za obranu za istraživanje i inženjerstvo (OUSD(R&E)) kao dio jedinstvenog partnerstva industrije, državnih institucija i akademske zajednice. Cilj programa je očuvati vodeću poziciju SAD-a u inovacijama mikročipova i ubrzati razvoj te primjenu revolucionarnih tehnologija.