Tvrtka nije izdala službeno priopćenje za javnost o početku proizvodnje, ali je više puta izjavila da je N2 na putu za masovnu proizvodnju u četvrtom tromjesečju 2025- godine.

„TSMC-ova 2nm (N2) tehnologija započela je masovnu proizvodnju u četvrtom tromjesečju 2025. godine kako je planirano“, navodi TSMC-ovoj web stranici posvećenoj 2nm tehnologiji.

S gledišta poboljšanja, N2 je dizajniran da pruži povećanje performansi od 10% do 15% pri istoj snazi, smanjenje snage od 25% do 30% pri istim performansama i povećanje gustoće tranzistora od 15% u usporedbi s N3E za mješovite dizajne koji uključuju logiku, analogni i SRAM. Za dizajne samo s logikom, gustoća tranzistora je do 20% veća od N3E.

TSMC-ov N2 je prvi procesni čvor tvrtke koji usvaja tranzistore s nanoslojevima tipa gate-all-around (GAA), gdje vrata u potpunosti okružuju kanal formiran složenim horizontalnim nanoslojevima. Takva geometrija poboljšava elektrostatsku kontrolu, smanjuje curenje i omogućuje manje tranzistore bez žrtvovanja performansi ili energetske učinkovitosti, što u konačnici povećava gustoću tranzistora. Osim toga, N2 također dodaje super visokoučinkovite metal-izolator-metal (SHPMIM) kondenzatore u mrežu za isporuku napajanja. Oni nude više nego dvostruku gustoću kapaciteta u odnosu na prethodni SHDMIM dizajn i smanjuju otpor sloja (Rs) i otpor preko (Rc) za 50%, što poboljšava stabilnost napajanja, performanse i ukupnu energetsku učinkovitost.